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productos de película fina de alta precisión y fiabilidad


ECRIM tiene circuito integrado híbrido de película delgada a través de la línea de producción estándar del ejército nacional. también tiene el mundo equipo avanzado de formación de película de pulverización catódica con magnetrón, máquina de resistencia láser de alta precisión, máquina de litografía, máquina de grabado por plasma, máquina de soldadura de bolas de alambre de oro, etc. basado en el proceso de película fina, diseña y desarrolla productos de proceso de película fina y circuitos integrados de procesamiento de señales híbridos. durante los últimos 40 años, ECRIM ha desarrollado una gran cantidad de alta precisión y alta calidad tecnología de película delgada y productos de circuitos para apoyar proyectos nacionales de ingeniería clave. Los principales productos son varias redes de resistencia de película delgada, sustrato de microondas, circuito de procesamiento de señal de precisión, circuito integrado híbrido de alta densidad, etc.




producto de proceso de película fina
  • película fina de precisión resistencia: precisión: ± 0.1 % ~ ± 0.02 %
  • temperatura coeficiente: ≤ ± 25 ppm / ℃
  • cerámica de capa fina metalización y microondas sustrato:
  • base material: óxido de aluminio, nitruro de aluminio, cuarzo etc
  • Precisión: precisión de línea ± 2,5 μm, ancho y espaciado mínimo de línea 20 μm
  • frecuencia rango: DC ~ 110G
película fina atenuador: alta frecuencia a 26 GHz, onda estacionaria baja, alta precisión de atenuación
circuito de señal integrado híbrido


servo sensor circuito: preamplificador, convertidor de temperatura, amplificador de carga, acelerómetro mems y giroscopio mems.


  • tipo de aislamiento circuito: aislamiento de señal o aislamiento de la fuente de alimentación, amplificador de aislamiento
  • referencia de precisión fuente: voltaje pequeño, referencia de corriente, el I / F
  • circuito fotoeléctrico: Conversión fotoeléctrica de fibra óptica integrada híbrida, módulo de transmisión
  • microondas circuito: P / L / C / S / Banda X canales, amplificador de media y baja potencia
  • personalizado circuito: todo tipo de alta precisión conversión de señal, circuito de accionamiento, miniaturización de circuito dedicado
El la calidad del producto cumple con los requisitos de evaluación de grado de calidad y confiabilidad especificados en GJB2438A-2002, y el grado de calidad más alto alcanza el grado aeroespacial (K grado).
película delgada
Modelo parámetro 3 parámetro 2 parámetro 1 Descargar
Power heat sink Material: AlN/BeO Accuracy: line width/line spacing accuracy ±5um Metalization: Ti, Cu, Ni, Pt, Au, prefabricated AuSn film, etc
Chip components Precision : ±0.1% -- ±0.02% Passivation layer structure : SiO2+Si3N4、SiO2 Resistance range : 10Ω—1MΩ
Highly reliable subs Material: Al2O3/AlN. Accuracy: line width/line spacing accuracy ±5um Metalization: Ti, Ni, Pt, Au, thin film resistors, prefabricated AuSn films, etc
Coaxial attenuator Frequency :DC -18000 Attenuation: 0.7-1.3 Max standing wave ratio :1.3
Thin film attenuator Applicable frequency : DC~ 18GHz Power : 1W Standing wave : ≤ 1.2
Microwave substrate Material: Al2O3. Accuracy: line width/line spacing accuracy ±2.5um. Metalization: Ti, Ni, Pt, Au, TaN resistors, prefabricated AuSn films, etc.
Thin film Substrate Metalization: Ti, Ni, Pt, Au, TaN resistance, prefabricated AuSn film, etc Accuracy: line width/line spacing accuracy ±2.5um. Material: AlN/Al2O3/multilayer AlN-HTCC/quartz
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