ECRI Microelectronics

Película delgada

Película delgada

Alta precisión y productos de película delgada confiables

ECRIM tiene un circuito integrado híbrido de película delgada a través de la línea de producción estándar del ejército nacional. También cuenta con el avanzado equipo de formación de película por pulverización catódica de magnetrón, máquina de resistencia láser de alta precisión, máquina de litografía, máquina de grabado por plasma, máquina de soldadura de bolas de alambre de oro, entre otros. Basado en un proceso de película delgada, diseña y desarrolla productos de proceso de película delgada y circuitos híbridos de procesamiento de señal integrado. En los últimos 40 años, ECRIM ha desarrollado una gran cantidad de productos de tecnología y circuitos de película delgada de alta precisión y alta calidad para respaldar proyectos nacionales clave de ingeniería. Los principales productos son varias redes de resistencia de película delgada, sustrato de microondas, circuito de procesamiento de señal de precisión, circuito integrado híbrido de alta densidad y así sucesivamente.

high-accuracy-and-reliable-thin-film-productshigh-accuracy-and-reliable-thin-film-products-1

Producto de proceso de película fina
  • Resistencia de película delgada de precisión: precisión: ± 0.1% ~ ± 0.02%
  • Coeficiente de temperatura: ≤ ± 25 ppm / ℃
  • Metalización cerámica de película delgada y sustrato de microondas:
  • Material base: óxido de aluminio, nitruro de aluminio, cuarzo, etc.
  • Precisión: precisión de línea ± 2,5 μm, ancho mínimo de línea y espaciado 20 μm
  • Rango de frecuencia: DC ~ 110G
Atenuador de película delgada: alta frecuencia a 26 GHz, onda baja, alta precisión de atenuación
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hybrid-integrated-signal-circuit-3hybrid-integrated-signal-circuit-4

Circuito de señal integrado híbrido

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Circuito servo del sensor: preamplificador, convertidor de temperatura, amplificador de carga, acelerómetro MEMS y giroscopio MEMS.

  • Circuito de aislamiento: aislamiento de señal o aislamiento de la fuente de alimentación, amplificador de aislamiento
  • Fuente de referencia de precisión: voltaje pequeño, referencia de corriente, I / F
  • Circuito fotoeléctrico: conversión fotoeléctrica de fibra óptica integrada híbrida, módulo de transmisión
  • Circuito de microondas: canales de banda P / L / C / S / X, amplificador de potencia media y baja
  • Circuito personalizado: todo tipo de conversión de señal de alta precisión, circuito de accionamiento, miniaturización de circuito dedicada
La calidad del producto cumple con los requisitos de evaluación de calidad y fiabilidad especificados en GJB2438A-2002, y el grado de calidad más alta alcanza el grado aeroespacial (grado K).

Componentes de microondas, productos de circuito y tecnología de miniaturización

--------- ECRIM
Basada en la tecnología de película delgada, la división de negocios ECRIM diseña y desarrolla principalmente componentes pasivos de película de alto rendimiento, que incluyen filtro de microbanda, divisor de potencia, atenuador, sustrato de microondas, etc .; Los módulos activos incluyen L, S, C, amplificador híbrido integrado de bajo nivel de ruido x, mezclador, oscilador, amplificador de potencia, canal de frecuencia de radio, filtro LC, generador de armónicos y otros productos. También personalizamos componentes y componentes para clientes. Los productos son ampliamente utilizados en comunicación inalámbrica, navegación, radar y otros sistemas aeroespaciales, de aviación y de tierra. Tiene una línea de producción de sustratos de microondas de 250,000 pulgadas cuadradas y 30,000 películas delgadas de circuito integrado híbrido de alta gama.

La tecnología de película delgada, debido a su proceso de fabricación de alta precisión y características de microondas altamente estables, tiene ventajas obvias sobre los PCB y otros procesos en el campo de la radiofrecuencia. Tiene líneas finas, alta integración y buena disipación de calor. Puede producir circuitos de alta densidad de potencia, especialmente en sistemas aerotransportados, de proyectiles, satelitales y de alta frecuencia de radio. Sus características de pequeño tamaño, peso ligero y alta fiabilidad son más prominentes.

1. Tecnología y productos de película delgada
Los productos de tecnología de película delgada se caracterizan por alta precisión, alta densidad, alta frecuencia y alta confiabilidad, que son ampliamente utilizados en los campos de sustrato de interconexión de circuito integrado híbrido, dispositivos de microondas, comunicación fotoeléctrica, sensor, MCM, LED, etc. Los productos típicos incluyen sustrato de microondas, filtro de microbanda, atenuador, resistencia de precisión de película delgada (red), etc.
fig-1-typical-thin-film-circuit-structure

Substrato de la película 1.1thin de la microonda
  • visión de conjunto
El material de la matriz principal del sustrato de película de microondas es cerámica de alúmina. Podemos proporcionar a los clientes servicios personalizados, como la base de nitruro de aluminio y el procesamiento de placa de base de microondas con base de cuarzo.
  • Descripción del proceso

Film system

Typical floor resistance

50-75-100Ω/□

Typical thickness of transition layer

1000~3000Å

Surface metal thickness

3~8μm

Lithography

Resolution ratio

0.8μm

Registration accuracy

±1μm

Double exposure, thick adhesive exposure

Scribing

Minimum cut size

0.5mm×0.5mm

Dimensional accuracy

±50μm

Unit alignment accuracy

±5μm

Process capability

The 2″×2″ substrate can produce 800 pieces/week



Aspecto del producto

thin-film-microwave-substrate-product-appearancethin-film-microwave-substrate-product-appearance-1

1.2 Resistencia de precisión y red de película delgada
  • Visión de conjunto
Resistencia de película delgada de precisión (red de resistencia) es una resistencia de película delgada de chip (red de resistencia) con alta precisión de seguimiento de valor de resistencia y pequeño volumen. Tiene las ventajas de alta precisión de valor de resistencia, bajo coeficiente de temperatura de resistencia, bajo nivel de ruido y buena estabilidad a largo plazo. Es adecuado para los campos de la industria aeroespacial, la aviación y la implantación de dispositivos médicos humanos. La precisión puede ser de hasta 0,01%, el coeficiente de seguimiento de temperatura de hasta 0,02% y los valores de resistencia arbitrarios se pueden personalizar según los requisitos del cliente, y el embalaje puede ser en forma de etiqueta de tabla de chip, paquete de cerámica, paquete de paquete, etc. .
  • Especificaciones técnicas de la red de resistencia y resistencia




precision resistance

Resistance materials

Nickel chrome

Temperature coefficient TCR(ppm/℃):±25--±5

Tantalum nitride

Temperature coefficient TCR(ppm/℃):-100---50

Substrate materials

glass ceramics/silicon slice/aluminum oxide/aluminum nitride

Accuracy

±0.1% --  ±0.02%

Passivation layer structure

SiO2+Si3N4、SiO2

Size

0404、0603、0805、1206

Resistance range

10Ω—1MΩ

Power

25 mW–100 mW

Operating temperature range

-65℃--125℃


Precision resistance network

Accuracy

±0.1% --  ±0.02%

Relative accuracy

±0.02%

Temperature tracking coefficient accuracy

±0.02%--±0.05%

Size

Design according to the detailed drawing

Packaging form

We can use the chip table sticker, ceramic package and packaging as the customers demand.

Temperature coefficient

±10ppm

Operating temperature range

-65℃--125℃

Antistatic capacity

1500V-2000V



Apariencia del producto

thin-film-precision-resistance-and-network-product-appearance


1.3 Capacitancia del chip de película delgada
  • Visión de conjunto
Los condensadores de chip de película delgada son adecuados para aplicaciones de ondas de RF, microondas y milimetros. Frecuencia adecuada: 100MHz ~ 100GHz, capacidad: 50-4300pf. Recubrimiento de Pt / Au, adecuado para la soldadura.
Los índices técnicos clave
Tabla 2 Índices de tecnología principal

Size:W×L

10×10mils to 90×90mils

(0.25×0.25mm to 2.25×2.25mm)

thickness:t

6mils±1mil&10mils±1mil

(0.150mm±0.025mm&0.250mm±0.025mm)

Electrode

Ti/Pt/Au  Ti/Ni/Au

The rated voltage (RWV)

50V for t=6mils(0.150mm)

100V for t=10mils(0.250mm)

Capacitance

50pF to 1000pF(nominal@+25℃ & 1kHz)

Capacity tolerance

M=±20%

Z=-20%/+80%

V=-0%/+100%

Loss Coefficient(DF)

<2.5%(@+25℃ & 1kHz)

Insulation resistance(IR)

>1010Ω

Dielectricbreakdown voltage(DWV)

RWV×2.5(minimum DWV @+25℃)


Dibujo típico del aspecto del producto

typical-product-appearance-drawing

Atenuador de película 1.4
  • Visión de conjunto
El atenuador de película tiene parámetros parásitos bajos y alta frecuencia de uso hasta 18GHz. A prueba de humedad, formando película protectora auto pasivante; Conveniente para la vinculación de alambre de oro. Ampliamente utilizado en la comunicación por ondas de milímetro de microondas por radiofrecuencia, comunicación óptica y otros campos.

En la actualidad, hemos desarrollado 6 series de hojas de atenuación con más de 100 variedades. El siguiente es un ejemplo del atenuador AT150504-X:
  • Los índices técnicos clave
Tabla 3 principales indicadores técnicos

applicable frequency

characteristic impedance

standing wave

operating temperature

Size

Power

DC~18GHz

50±1Ω

≤1.2

-55~125℃

15.8*5*0.4

1



Tabla 4 Precisión de atenuación

Attenuation

Working frequency

Attenuation accuracy

1~10dB

20dB

30dB

40dB

50dB

60dB

DC~18GHz

±0.3dB

±0.5dB

±0.5dB

±0.7dB

±1dB

±1dB


La atenuación se puede ajustar según la demanda del cliente.
  • Dibujo típico del aspecto del producto
typical-product-appearance-drawing-2

1.5 Atenuador coaxial
  • Descripción general
Los principales indicadores de esta serie de atenuadores fijos coaxiales se refieren a la serie bw-s1w2 + de la empresa MINI. Con frecuencia DC ~ 18GHz y potencia de entrada máxima de 2W, tiene las siguientes características: amplia banda de frecuencia de trabajo, baja relación de onda estacionaria, atenuación plana, fuerte resistencia al impulso y resistencia a la combustión.
  • Diagrama de circuito esquemático
schematic-circuit-diagram
  • Los índices técnicos clave
Tabla 5 Los índices técnicos clave (Un caso de estudio de 1dB)

the-key-technical-indexes

Tabla 6 Parámetro típico
table-6-typical-parameter

Después de las pruebas y la comparación, el índice de precisión de la atenuación de esta serie de atenuadores es similar al de los productos de la empresa MINI, y la relación de onda estacionaria es mejor que los productos de la empresa MINI.
  • tamaño
table-6-typical-size
  • Dibujo típico del aspecto del producto
typical-product-appearance-drawing-3


Bm-w2c1, bm-w2c2, bm-w2c3, bm-w2c4, bm-w2c5, bm-w2c6, bm-w2c7, bm-w2c8, bm-w2c9 y bm-w2c10 se nombran respectivamente según la potencia y la atenuación.

1.6 La guía de diseño
Selección de sustratos cerámicos
Tabla 7 Selección de parámetros principales de sustrato cerámico

Substrate parameters

Influence

Instructions

Thickness

upper frequency limit

Different frequency choose different thickness

minimum-value aperture

50um

Dielectric constant

line width

It depends on the device performance

Surface roughness

Width of thinnest line

line width: 10um

Dissipation factor

Insertion loss

General requirements loss is less than 0.0005

Thermal conductivity

Power dissipation

Aluminum nitride/beryllium oxide for high power applications


Reglas para el diseño de circuitos de película fina
Tabla 8 Indicadores de referencia comunes para reglas de diseño de circuitos de película delgada

project

meaning

Typical values

Special requirements

Size of substrates and chips

2 inches substrates,Usable area

46×46

48×48

Toleranceof substrate thickness

±0.050mm

±0.020mm

Toleranceof chips size

±0.050mm

(+0,-0.050mm)

Scribing and its accuracy

Number of available cutting

0.15mm,0.20mm

0.10mm

cutting accuracy

±0.050mm


The conduction band

Minimum line width

0.018mm

0.010mm

The smallest seam width

0.018mm

0.010mm

A typical distance from the edge of the chip

0.050mm

0.000mm

The line drawing of special guide should be narrower than the designed size

0.004mm


resistance

Minimum line width

0.050mm

0.008mm

Minimum line length

0.050mm


Minimum blank distance between the resistance edge and the conductor

0.025mm

0.000mm

Minimum contact distance between resistance and conductor

0.050mm


The minimum distance of the resistance film from the chip edge

0.050mm


Metal hole

The smallest aperture

50um


The minimum distance from the edge of the hole to the edge of the figure

80um


Minimum spacing

100um


The minimum distance from the hole center to the edge of the chip

75um



2 productos de miniaturización de canales de radiofrecuencia
La tecnología de miniaturización del circuito integrado híbrido de microondas en la división de película fina se centra en el diseño del circuito local, la modularización, la miniaturización, el empaque estructural, la mejora de la consistencia y la fiabilidad. Los productos originales del canal rf están miniaturizados por la tecnología de película delgada, es decir, algunos circuitos en el canal RF se procesan con mayor precisión y mejor confiabilidad mediante la tecnología de película delgada, que se encapsula en el gabinete hermético de metal protector con buena disipación de calor mediante el método de ensamblaje de alta densidad.

El siguiente es un ejemplo de un canal de radiofrecuencia de banda I y su tecnología de miniaturización. Este tipo de índice de producto está estrechamente relacionado con el índice de antena, el procesamiento de datos y otros requisitos del sistema, y ​​se desarrolla principalmente en cooperación con los usuarios.

2.1 Característica técnica
Diagrama esquemático del canal Rf
radio-frequency-channel-miniaturization-products
El conjunto de antenas de RF está dividido en un canal GNSS y un canal XXX. El canal GNSS es un canal único diseñado con circuitos maduros existentes. El canal de RF de XXX se compone principalmente de filtro, amplificador de bajo ruido, convertidor up-down, amplificador, módulo de reloj, fuente de frecuencia y fuente de alimentación DC_DC.

Frecuencia de canal de radiofrecuencia (RF) a la consistencia de fase de canal, consistencia, aislamiento, estabilidad de fase de ganancia tienen mayores requisitos, por lo que la miniaturización del proceso integrado híbrido de película delgada sobre cómo enviar y recibir pasaje, cada canal por cámara de separación consistente estructura de encapsulación, módulo de canal, respectivamente, completa la amplificación de la señal de RF y la conversión de frecuencia, y otras funciones, con el fin de lograr la gran demanda.
Tabla 9 Características eléctricas del canal de radiofrecuencia

characteristics

symbol

Conditions

RF input frequency:xxxx.5MHz±10MHz;

RF input power:-130dBm~-40dBm

LO input frequency:xxxx MHz;

LO input power:0dBm

Limit value

Unit

Min

Max

Channel gain

G


45

55

dB

Gain consistency

ΔG


-

2

dB

Image rejection

S1


65

-

dBc

Harmonic suppression

H1


65

-

dBc

Working current

I


0.35

0.4

A

Noise Figure

NF



2.5


RF port standing wave ratio

VSWR


-

2

-

Phase consistency

ΔPh

TA=25℃

-5

5



2.2 Tecnología de miniaturización de canales de radiofrecuencia
radio-frequency-channel-miniaturization-technology-1

radio-frequency-channel-miniaturization-technology-2
  • Selección de componentes
Se seleccionan los componentes encapsulados de microprocesador o chip en bruto para la integración híbrida a fin de mejorar el grado de integración y reducir efectivamente el área del circuito.
  • Fabricación de sustrato de película delgada
Los requisitos ambientales para los canales de radiofrecuencia son relativamente altos, y la placa base es necesaria para garantizar la constante dieléctrica a la vez que tiene una conductividad térmica más alta. La selección del material y la fabricación se estudian para cumplir con los requisitos prácticos.

(1) Selección de sustrato
El óxido de aluminio (AL2O3) generalmente se selecciona para el sustrato, que tiene las ventajas de una gran constante dieléctrica, una pequeña pérdida dieléctrica, una gran resistencia de aislamiento, una alta resistencia mecánica y un coeficiente de expansión térmica de la carcasa del paquete. Se prefiere el nitruro de aluminio (ALN) en la placa base del dispositivo de potencia, con una constante dieléctrica de 8,7 y una conductividad térmica de 200 W / m • K. Los substratos cerámicos tienen muchas propiedades excelentes y juegan un papel más importante que las PCB en el campo de la comunicación por microondas. Con alta constante dieléctrica de sustrato de película delgada, puede reducir la misma longitud eléctrica de señal de microondas en la placa de medio longitud y ancho de red de atenuación de resistencia también se puede generar directamente en sustrato de película delgada, reduciendo así en gran medida el área del circuito original, y mejorado la precisión de la atenuación al mismo tiempo, el módulo existente en, consistencia, confiabilidad, facilidad de mantenimiento, escalabilidad, etc., tienen cierta ascensión.

(2) Selección de materiales metálicos conductores
Las partes del canal de RF deben ensamblarse mediante un proceso de soldadura. Se requiere que el metal en el sustrato tenga una buena capacidad de soldadura, capacidad de soldadura y resistencia y una gran corriente, para garantizar la solidez y confiabilidad de la soldadura. Además, el circuito de radiofrecuencia tiene requisitos sobre la impedancia de la banda y la profundidad de la señal de radiofrecuencia, por lo que adopta el método de dorado de la línea de microbanda para cumplir los requisitos de la señal de radiofrecuencia.

(3) Alambre y diseño de orificio pasante
La clave del alto rendimiento y la repetibilidad en las estructuras de microondas está determinada por la geometría del metal y la impedancia característica de la línea de transmisión está determinada por el ancho de la línea. Todo el canal de RF tiene un volumen pequeño, una alta densidad de cableado y un ancho de cable pequeño, por lo que los requisitos de precisión son muy altos. Los agujeros pasantes metalizados se usan comúnmente para conectar señales de radiofrecuencia a áreas encapsuladas, lo que requiere una mejor resistencia mecánica y una menor impedancia eléctrica.

fig-9
FIG 9

fig-10
FIG 10

  • Técnica de micro ensamblaje
micro-assembly-technique
El módulo de un solo canal adopta la tecnología de soldadura para soldar el sustrato dentro de la cavidad para asegurar una buena conexión a tierra. Las interfaces de entrada y salida, como RF, TLO, RLO, IF, + VCC y -vcc, están conectadas respectivamente con la antena y el sustrato del sistema.

Dirigido a la fiabilidad y el rendimiento del circuito, se controlan los parámetros del proceso de interconexión, como la alta consistencia y la alta fiabilidad de los enlaces de los circuitos del canal RF. Al usar el modelo electromagnético, los parámetros se convierten en un circuito equivalente, que está involucrado en el análisis de simulación de todo el circuito y guía el diseño y la prueba.

  • Tecnología de encapsulación de cavidades de microondas
El embalaje del circuito de microondas requiere las siguientes cuatro funciones básicas: soporte mecánico y protección del medio ambiente, trayectoria de voltaje y corriente, señal de canal de radiofrecuencia, entrada y salida de señal de control y ruta de disipación de calor.
Teniendo en cuenta la correspondencia del coeficiente de expansión térmica del material, el material de embalaje debería tener una alta conductividad térmica. Los requisitos básicos para los materiales de embalaje son alto módulo de elasticidad, bajo coeficiente de expansión térmica, buen acabado y buena planeidad.
La densidad del ensamblaje de los componentes del canal RF es muy alta, lo que resulta en un alto nivel de calor por unidad de área. Aunque la temperatura de la sección de dispositivos de microondas puede alcanzar los 170 ℃ por encima, pero la selección incorrecta del material de embalaje, los componentes térmicos no pueden exportarse rápidamente, los componentes dentro y fuera del gradiente de temperatura son demasiado grandes, formados en el interior demasiado calientes o demasiado calientes , empeorar el rendimiento de los componentes, o debido al gran daño por estrés térmico y hacer que la estructura del circuito.
ECRIM se ha dedicado a la investigación y desarrollo de cubiertas metálicas durante mucho tiempo. Tienen la línea de producción de conchas de metal militar más grande de China y tienen una amplia experiencia en el diseño y fabricación de cubiertas de metal. Tiene el equipo de producción y la capacidad técnica relacionada con el diseño de la carcasa, procesamiento mecánico, preparación de cuentas de vidrio, sellado de hermeticidad, soldadura fuerte, galvanoplastia, prueba de confiabilidad, etc., lo que proporciona una garantía confiable para el diseño de la estructura del canal de radiofrecuencia. La Figura 11 es un diagrama de estructura tridimensional de la estructura del componente de radiofrecuencia de la banda Ku diseñada para un proyecto.
El paquete del módulo de canal rf está diseñado para adoptar una tecnología de paquete hermético, que tiene como objetivo aislar el medio ambiente, prevenir la erosión de los contaminantes y hacer que los dispositivos internos se adapten a la baja presión y otras condiciones de trabajo. Al mismo tiempo, cumple con los requisitos de compatibilidad electromagnética, como el blindaje.

fig-11
FIG 11

fig-12
FIG 12

3 Otros productos de circuitos de microondas
3.1 Amplificador de potencia de microondas
Como etapa final del transmisor, el amplificador de potencia amplifica la señal modulada de la banda de frecuencia a la potencia requerida, asegurando que se puedan recibir suficientes señales de nivel dentro del área de cobertura. Tomando como ejemplos el amplificador de pulso de banda xy el amplificador de onda continua s-band desarrollado por 43 (figura 12), se describen el nivel de proceso principal y el nivel de índice del producto. Los amplificadores de microondas pueden ser indicadores propuestos por separado, diseño modular independiente, podemos proporcionar indicadores de usuario basados ​​en el paquete de diseño y fabricación.
Después de adoptar el proceso de película delgada (las piezas terminadas adoptan chips desnudos), el volumen se reduce considerablemente, por ejemplo, el volumen puede cambiarse de 20 x 35 x 10 mm3 a 10 x 20 x 10 mm3.
Tabla 10. Características eléctricas del amplificador de potencia de pulso de banda x

characteristics

symbol

Condition

Operating frequency range:f= x.1GHz±0.5 GHz;

The input power:7dBm;Work pulse width:1mS

Limit value

Unit

Min

Max

Output power

Pout


33

-

dBm

duty cycle



-

25%




Tabla 11 Características eléctricas del amplificador de potencia de onda continua de banda S

characteristics

symbol

Condition

Operating frequency range:f= x.2GHz±0.1 GHz;The input power:10±2dBm

Limit value

Unit

Min

Max

Output power

Pout


37

-

dBm

Gain flatness

ΔG


-

2

dB

Harmonic suppression

H1


65

-

dBc

spurious suppression

S1-1


65

-

dBc

Working current

I


-

2.0

A



3.2 amplificador de bajo ruido
El amplificador de bajo nivel de ruido se puede personalizar para satisfacer las necesidades de los usuarios, ya que proporciona módulos con acabado de carcasa de metal de corte, fijación por tornillo. El tamaño de los amplificadores de bajo nivel de ruido B1, B2 y B3 es de aproximadamente 15 mm x 15 mm sin filtro.
Tabla 12 indicadores técnicos

features

Limit value

Unit

Min

Max

gain

26

30

dB

Noise factor (room temperature)

0.8

1.2

dB

Port a standing wave

1

2


Working current

60

m



4 Características de los productos de microondas que utilizan tecnología de película delgada

4.1 Alta fiabilidad
Debido a la adopción de la tecnología de película delgada, se generó una gran cantidad de dispositivos de resistencia en el circuito original en el sustrato, lo que redujo el número de componentes soldados y mejoró la precisión de la atenuación. Al mismo tiempo, como la placa de base del módulo de canal está directamente soldada a la cavidad, se refuerzan el soporte mecánico y la protección del medio ambiente, se mejora enormemente el rendimiento de la puesta a tierra de radiofrecuencia y se mejora exhaustivamente el índice de fiabilidad del módulo. es adecuado para la producción en masa. Producción en la línea de producción estándar del ejército nacional, el nivel de calidad de G, H anterior.

4.2 Fuerte operabilidad
Se adopta el diseño modular, y el módulo del canal y el sustrato del nivel del sistema se pueden separar para la prueba de ensamblaje, lo que mejora la eficacia de la prueba. Debido a la descomposición efectiva de los indicadores de prueba, la prueba de producción se puede desmontar en grupos independientes al mismo tiempo.

4.3 Buena anti-interferencia
Como resultado del diseño modular, el módulo del canal está completamente cerrado en una cavidad independiente cerrada, que es diferente del diseño original multicaminar más la cavidad. Por lo tanto, puede proteger mejor la diafonía de las señales de microondas y las señales de alimentación de otros canales.

4.4 Pequeño volumen
Después de la miniaturización, el área del componente se reduce en 1/3 a 1/2, y la forma de interfaz es más concisa. La transmisión de señal entre cada módulo de la máquina completa solo se puede realizar insertando y desenchufando directamente el cable mixto. Aquí hay dos ejemplos de productos miniaturizados.


Productos fotoeléctricos de película delgada
1 sustrato fotoeléctrico de película delgada
  • Visión de conjunto
El sustrato fotoeléctrico de película delgada se utiliza principalmente en el campo de la comunicación óptica. El material de sustrato es principalmente sustrato de nitruro de aluminio con alta conductividad térmica (más de 170). El espesor del sustrato está entre 0.127-2mm. La estructura metálica multicapa se usa comúnmente como sistema de membrana TiPtAu.
  • Indicadores principales

The fine line

20μm

Line precision

≤ ±5μm

Hole resistance

≤50 mΩ

Size

≤ ±50μm

Special cutting accuracy

≤ ±50μm


Nota: la calidad del producto cumple con los requisitos de MIL-PRF-38534


FIG 16

Detector de fibra óptica Pin-fet 2
2.1 Descripción general
El detector de fibra óptica pin-fet es una especie de dispositivo optoelectrónico que encapsula el chip del detector fotoeléctrico y el circuito amplificador de bajo ruido en el mismo caparazón. La señal de luz se irradia a la superficie fotosensible del detector. El diodo fotoeléctrico produce una entrada fotocorriente al circuito amplificador de bajo ruido. El circuito amplificador de bajo ruido convierte la señal de corriente débil en señal de voltaje y luego amplifica la salida.

2. 2 características del producto
Alta fiabilidad, alta sensibilidad, amplio rango dinámico

2.3 Ámbito de aplicación
sistema de transmisión de fibra óptica, giroscopio de fibra óptica, creación colocada grande, sensor de fibra óptica

2.4 Modelo de circuito
El modelo de circuito es el siguiente:
HPF XXXX X
hpf-xxxx--x

2.5 Diferentes tamaños de paquete y fotos

type

Type A packaging

TypeB packaging

TypeC packaging

TypeD packaging

category

Metal 14 feet

Metal8 feet

Ceramic 8 feet

size

20.8 mm x12.7 mm x4.67 mm

13.5 mm x12.7 mm x4.67 mm

12.7mm x7.9mmx5.3mm




photo

The leg defines the contrast

WTD, 44 institute, worldcom, podan photoelectric

Tong wei tong, pu Dan photoelectricity

Metal 8 pin

Same as WTD



La resistencia cruzada comúnmente utilizada es 40K, 200K y 400K. Los productos con diferentes requisitos de resistencia cruzada, ancho de banda, voltaje de salida y fibra de cola se pueden diseñar de acuerdo con los requisitos de los usuarios.

2.6 Indicadores de rendimiento (series A, B, C, D)
Calificación máxima

ParametersSymbolMaximum rating Unit

positive-supplyVcc      +5.5         V

Negative supplyVee      -5.5          V

Operating temperatureTamb     -55~+85     ℃

Storage temperatureTstg      -55~+85    ℃


Condiciones de trabajo recomendadas

Parameters  Symbol  Maximum rating Unit

positive-supplyVcc        +5      V

Negative supplyVee        -5      V


Propiedades fotoeléctricas
Vcc = + 5V, Vss = -5V
performance-indicators-specification-1
performance-indicators-specification-2



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